国家G高e)0.0NC和2.5NC的CdK边XANES光谱。
e-f)p-CNCS的HRTEM图像，电网道建其中e图中0.352nm的晶格间距可归属于CdSe的(111)面。为进一步简便、北京连续地调整CB上电子的能量，0D半导体量子点(QDs)因其独特的优点，如表面积大、原子利用率高以及有效电荷转移长度短而备受关注。
QDs的最重要特征之一是由量子限域引起的尺寸可调光电子，上海地数据速通可用于控制某些产物的产生。西安b)QDs溶液相应的紫外-可见吸收光谱。中心图4活性和选择性随0D/2D异质结能带结构的变化a)不同粒径CdSe量子点的UPS数据。
最近，国家G高文献报道改变导带(CB)上的电子能量会明显影响某些产物的选择性。电网道建【图文简介】图1不同粒径CdSeQDs的形貌和光吸收性能a)具有不同粒径的CdSeQD粉末的照片(从左至右：1.2±0.03,1.6±0.04,2.2±0.05,2.3±0.06,2.5±0.06,2.8±0.06,3.2±0.09,3.7±0.09和4.1±0.10nm)。
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